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高压碳化硅解决方案:改善4H-SiC晶圆表面的缺陷问题

编辑:天博综合这个app是什么 来源:天博综合这个app是什么 创发布时间:2021-08-01阅读38129次
  本文摘要:碳化硅(SiC)在功率大的、高溫、高频率等极端化标准主要用途具有非常好的市场前景。

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碳化硅(SiC)在功率大的、高溫、高频率等极端化标准主要用途具有非常好的市场前景。但虽然商用4H-SiC单晶圆片的结晶体一致性最近几年贞着改进,这种晶圆的缺少相对密度依然持续上升。

经科学研究确认,晶圆衬底的表面应急处置時间就会越宽,则表面不合格率也不会回家降低。  碳化硅(SiC)兼顾长能带隙、低电击穿场强、低导热系数、低载流子饱和速度等特点,在功率大的、高溫、高频率等极端化标准主要用途具有非常好的市场前景。

虽然商用4HSiC单晶圆片的结晶体一致性最近几年贞着改进,但这种晶圆的缺少相对密度依然持续上升。  经科学研究确认,晶圆衬底的表面应急处置時间就会越宽,则表面不合格率也不会回家降低。

表面缺少比较严重危害SiC元件质量与矽元件相比,碳化硅的能带隙更为长,本征载流子浓度值更为较低,且在高些的溫度标准下仍能保持半导体材料特点,因而,应用碳化硅原材料制成的元件,能在比矽元件高些的操作温度运行。碳化硅的低电击穿场强和低导热系数,结合低操作温度,让碳化硅元件得到 非常高的功率和能耗等级。  现如今,碳化硅晶圆质量和元件生产制造工艺贞着改进,各种半导体材料生产商竞相展览了髙压碳化硅解决方法,其特性远远超过矽萧兹基势垒二极体(SBD)和场效电晶体(FET),在其中还包含断开工作电压类似19kV的PiN稳压管;透过工作电压小于1.8kV的萧特基二极体;透过工作电压达到1.5kV的MOSFET。

  针对一般半导体技术尤其是碳化硅元件,衬底原材料的质量至关重要。若在晶圆非分布均匀表面上面有反射性失衡区和水解反应区,用以这种晶圆生产制造出带的半导体材料元件,其商品特性将不容易遭受危害,比如资产重组亲率提高,或是在长期工作中全过程中经常会出现没法意识到的特性降低状况。

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商用碳化硅晶圆务必研磨抛光应急处置,晶圆表面更非常容易被划伤,经常看到晶圆上面有很多的划痕。  以往的调查报告证实,假如在外延性层生长发育前妥善处理衬底表面,晶圆衬底表面上的缺少将不容易大幅提升,它是生长发育高质量外延性层的根本所在。大家告知,氡气转印纸方式能够去除百余奈米的体效用原材料,进而提升 晶圆表面的缺少难题。


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